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| Artikel-Nr.: 139-4147450 Herst.-Nr.: PSMN1R9-80SSEJ EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 286 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: LFPAK88 Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 340 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6 VSVHC: Lead (27-Jun-2024) RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PSMN1R9-80SSEJ, 4147450, 414-7450 |
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