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Modul; Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-APTM100A13SG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APTM100A13SG
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SP6C
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 49A
Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ
Verlustleistung: 1,25kW
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Technologie: POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung: ±30V
Topologie: Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden
Drainstrom im Impuls: 240A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.