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Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-APTM10DAM05TG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APTM10DAM05TG
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SP4
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 207A
Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ
Verlustleistung: 780W
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Technologie: POWER MOS 5®
Gate-Source Spannung: ±30V
Topologie: NTC Thermistor;boost chopper
Drainstrom im Impuls: 1100A
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