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Modul; Transistor/Transistor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; 312W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-APTM50H10FT3G
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APTM50H10FT3G
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gehäuse: SP3
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 28A
Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω
Verlustleistung: 312W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Technologie: POWER MOS 7®;FREDFET
Gate-Source Spannung: ±30V
Topologie: NTC Thermistor;Brücke H
Drainstrom im Impuls: 140A
Die Konditionen im Überblick1
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