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IC: DRAM Speicher; 64MbDRAM; 4Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; 0÷70°C


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: DRAM Speicher; 64MbDRAM; 4Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; 0÷70°C
IC: DRAM Speicher; 64MbDRAM; 4Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; 0÷70°C
Artikel-Nr.:
     2805-AS4C4M16SA-6TCN
Hersteller:
     Alliance Memory
Herst.-Nr.:
     AS4C4M16SA-6TCN
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Montage: SMD
Betriebstemperatur: 0...70°C
Gehäuse: TSOP54 II
Betriebsspannung: 3,3V
Integrierten Schaltkreises-Typ: DRAM Speicher
Speicher-Art: SDRAM
Speicherorganisation: 4Mx16bit
Zugriffszeit: 5,4ns
Taktfrequenz: 166MHz
Verpackungs-Art: Tray
Schnittstelenart: parallel
Speicher: 64Mb DRAM
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