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Diode: TVS Array; 6,1V; 3A; 30W; gemeinsame Anode; MicroQFN


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Produktinformationen
Diode: TVS Array; 6,1V; 3A; 30W; gemeinsame Anode; MicroQFN
Diode: TVS Array; 6,1V; 3A; 30W; gemeinsame Anode; MicroQFN
Artikel-Nr.:
     2805-ESDALC6V1-5M6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     ESDALC6V1-5M6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Suppressor-Diode
Suppressordiode
suppressor-diode
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: MicroQFN
Struktur des Halbleiters: gemeinsame Anode
Strom im max. Impuls: 3A
Durchbruchspannung: 6,1V
Leck strom: 70nA
Dioden-Typ: TVS Array
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD Sicherung
Verlustleistung pro Impuls max.: 30W
Die Konditionen im Überblick1
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