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Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W
Modul; einzelner Transistor; 1kV; 23A; SOT227B; schraubbar; 595W
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN26N100P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN26N100P
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 300ns
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ
Verlustleistung: 595W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 197nC
Technologie: HiPerFET™;Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 65A
Die Konditionen im Überblick1
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