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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1,4A; Idm: 3A; 63W
Artikel-Nr.:
     2805-IXTA1R4N100P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTA1R4N100P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Bereitschaftszeit: 750ns
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 1,4A
Widerstand im Leitungszustand: 11,8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 63W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: standard power mosfet
Gate-Ladung: 17,8nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 3A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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