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Modul; einzelner Transistor; 40V; 660A; SOT227B; schraubbar; 1040W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 40V; 660A; SOT227B; schraubbar; 1040W
Modul; einzelner Transistor; 40V; 660A; SOT227B; schraubbar; 1040W
Artikel-Nr.:
     2805-IXTN660N04T4
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTN660N04T4
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 60ns
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 660A
Widerstand im Leitungszustand: 0,85mΩ
Verlustleistung: 1,04kW
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 0,86µC
Technologie: TrenchT4™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±15V
Drainstrom im Impuls: 1,8kA
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