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Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar


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Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar
Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar
Artikel-Nr.:
     2805-IXTN8N150L
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTN8N150L
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 1,7µs
Drain-Source Spannung: 1,5kV
Drainstrom: 7,5A
Widerstand im Leitungszustand: 3,6Ω
Verlustleistung: 545W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 250nC
Technologie: Linear™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 20A
Die Konditionen im Überblick1
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