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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Artikel-Nr.:
     2805-IXTP120P065T
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXTP120P065T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Bereitschaftszeit: 53ns
Drain-Source Spannung: -65V
Drainstrom: -120A
Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 298W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 185nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: TrenchP™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±15V
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