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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Artikel-Nr.:
     2805-SKM200GB12V
Hersteller:
     SEMIKRON DANFOSS
Herst.-Nr.:
     SKM200GB12V 22892064
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
UPS
USV
USV Anlage
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Gehäuse: SEMITRANS3
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 237A
Kollektorstrom im Impuls: 990A
Anwendung: für UPS;Wechselrichter;Frequenzwandler;Photovoltaik
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Ausführung: D56
Modul-Typ: IGBT
Topologie: IGBT Halbbrücke
Die Konditionen im Überblick1
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