Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A bei Mercateo günstig kaufen

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
2805-SUM70090E-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SUM70090E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 50A
Widerstand im Leitungszustand: 9,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 50nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 120A

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