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Modul; einzelner Transistor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-VMO550-01F
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     VMO550-01F
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: IXYS
Gehäuse: Y3-DCB
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 300ns
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 590A
Widerstand im Leitungszustand: 2,1mΩ
Verlustleistung: 2,2kW
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar;Steckverbinder FASTON
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 2µC
Technologie: HiPerFET™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 2,36kA
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.