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Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-WMSC040H12B1P6T
Hersteller:
     WeEn Semiconductors
Herst.-Nr.:
     WMSC040H12B1P6T
EAN/GTIN:
     k.A.
Hersteller: WeEn Semiconductors
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 45A
Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ
Verlustleistung: 105W
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Technologie: SiC
Gate-Source Spannung: -4...18V
Topologie: NTC Thermistor;MOSFET Halbbrücke
Drainstrom im Impuls: 90A
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