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| Artikel-Nr.:
108EL-1685936 Herst.-Nr.:
IPP60R099P6XKSA1 EAN/GTIN:
5059043376028 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 37,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolMOS™ P6
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 278 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.57mm
Höhe = 15.95mm
Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6. MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS ;sup>™ ;/sup> E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 37,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolMOS™ P6 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 99 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 278 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.57mm | Höhe: | 15.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungsfaktorkorrektur, 1685936, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPP60R099P6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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