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| Artikel-Nr.:
108EL-8051107 Herst.-Nr.:
2N5550TFR EAN/GTIN:
5059042483635 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 600 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 140 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 625 mW
Gleichstromverstärkung min. = 50
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 160 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 300 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Kleinsignal-NPN-Transistoren, über 100 V, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 600 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 140 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 625 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 50 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 160 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 300 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 4.58 x 3.86 x 4.58mm |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, 8051107, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, 2N5550TFR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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