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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2,5A; Idm: -10A; 1,25W; TSMT6

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
2805-RSQ025P03FRATR

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
RSQ025P03FRATR

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TSMT6
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -2,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,2Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 1,25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 4,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -10A

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