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  IGBT-Module (1.141 Artikel)

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 650V (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ACEPACK SMIT Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstro...
ST Microelectronics
STGSH80HB65DAG
ab € 18,53*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; GJ-UZ (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: GJ-UZ Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100UZ12GJ
ab € 18,54*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 83A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 83A Kollektorstrom im Impuls: 200A...
Powersem
PSIS 130/06
ab € 19,05*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Impuls: 1,2kA ...
IXYS
IXXN200N65A4
ab € 19,29*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 8A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8A Kollektorstrom im Impuls: 18A Anwendu...
IXYS
MUBW10-06A6K
ab € 19,59*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 86A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Kollektor-Emitter-Strom: 86A Einheitspreis: Nein Elektrische Montage: schraubbar Mechanisch...
IXYS
IXG70IF1200NA
ab € 19,77*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; THT (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4,1A Kollektorstrom im Impuls...
Powersem
PSII 6/12
ab € 19,80*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65L2S
ab € 20,00*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 12A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: E1-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 12A Kollektorstrom im Impuls: 30A Anwend...
IXYS
MIXA10WB1200TML
ab € 20,03*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: L2.2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Im...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S
ab € 20,10*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 84A Kollektorstrom im Impuls: 225A Anw...
IXYS
MIXA80R1200VA
ab € 20,13*
pro Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 150A; ISOTOP (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im ...
ST Microelectronics
STGE200NB60S
ab € 20,67*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR Gehäuse: F1.1 Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Imp...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S
ab € 20,83*
pro Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 62A Kollektorstrom im Impuls: 100A...
Powersem
PSIS 75/12
ab € 20,97*
pro Stück
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: C1 34mm Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom i...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG100HF12MRC1
ab € 21,26*
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