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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-GD10PJX65F1S
Hersteller:
     STARPOWER SEMICONDUCTOR
Herst.-Nr.:
     GD10PJX65F1S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Gehäuse: F1.1
Rückspannung max.: 650V
Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 20A
Einheitspreis: Nein
Elektrische Montage: Press-in PCB
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: Trench FS IGBT
Topologie: 3-Phasendiodenbrücke;NTC Thermistor;boost chopper;3-phasige IGBT-Brücke, OE-Ausgang
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