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  N-Kanal-Transistoren SMD (298 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 145ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 735W...
IXYS
IXFT120N30X3HV
ab € 10,86*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 167ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 8,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 890...
IXYS
IXFT150N30X3HV
ab € 14,94*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 105ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 26A Widerstand im Leitungszustand: 66mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 170W ...
IXYS
IXFA26N30X3
ab € 2,39*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 90ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 240W P...
IXYS
IXFA38N30X3
ab € 3,33*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 115ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 320W ...
IXYS
IXFA56N30X3
ab € 4,67*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 100ns Drain-Source Spannung: 300V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 390W ...
IXYS
IXFA72N30X3
ab € 5,50*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 36A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 446W ...
IXYS
IXFA36N60X3
ab € 3,71*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268HV Bereitschaftszeit: 175ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 51mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625...
IXYS
IXFT60N60X3HV
ab € 6,54*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 34A Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 446W ...
IXYS
IXFA34N65X3
ab € 4,42*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 0,2A; 33W; TO252; 1,6us (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO252 Bereitschaftszeit: 1,6µs Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 0,2A Widerstand im Leitungszustand: 75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W ...
IXYS
IXTY02N120P
ab € 1,16*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 0,6A; 42W; TO263; 900ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 0,6A Widerstand im Leitungszustand: 34Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W ...
IXYS
IXTA06N120P
ab € 2,23*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 16A; 660W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 660W Polarisierung: unipolar...
IXYS
IXFT16N120P
ab € 14,09*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 1A; 63W; TO252; 900ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO252 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 20Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Po...
IXYS
IXTY1N120P
ab € 1,72*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 900ns Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 20Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Po...
IXYS
IXTA1N120P
ab € 2,57*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 3A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Tube Gate-Ladung: 39...
IXYS
IXFA3N120
ab € 5,71*
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