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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,2A; Idm: 18A; 50W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: un...
Vishay
IRF620SPBF
ab € 0,76*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,2A; Idm: 18A; 50W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,8Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: un...
Vishay
IRF620STRRPBF
ab € 0,44*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,2A; Idm: 21A; 50W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,2A Widerstand im Leitungszustand: 1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: unip...
Vishay
IRL620SPBF
ab € 0,64*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; 55W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 55W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FQD12N20LTM
ab € 0,23*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Anwendung: Automobilbranche Verlustleistung:...
onsemi
FQD12N20LTM-F085
ab € 0,58*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 55W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FQD12N20TM
ab € 0,38*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 74W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierung: un...
Vishay
SIHL630STRL-GE3
ab € 0,52*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 74W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierung: un...
Vishay
IRF630SPBF
ab € 0,49*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 49mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 357W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDB52N20TM
ab € 1,07*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK (6 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 43W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle ...
Infineon
IRFR220NTRPBF
ab € 0,26*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: unipolar V...
onsemi
FQD10N20CTM
ab € 0,263*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 118ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 40mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W ...
IXYS
IXTA60N20T
ab € 2,90*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 330ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W ...
IXYS
IXTT60N20L2
ab € 12,94*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 61A Widerstand im Leitungszustand: 11mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Pol...
Infineon
IPB110N20N3LF
ab € 6,41*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 27mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 260W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FDB2614
ab € 1,65*
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