N-Kanal-Transistoren SMD (4.841 Artikel)

Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: LF (MO235B similar) Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 64A Widerstand im Leitungszustand: 5,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 168W Polar...

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 42,2A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 71,4W Polarisierun...

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 17,8W Polarisierung...

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Polarisierung: u...

Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 4,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 57W Polarisierung: unipolar ...

Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 5,4A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Polarisierung: unipolar ...

Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band Kanal-Art: stark

Hersteller: BRIDGELUX Montage: SMD Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Kanal-Art: stark

Hersteller: SHINDENGEN Montage: SMD Gehäuse: FB (TO252AA) Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Polarisierung...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 9,75A Widerstand im Leitungszustand: 0,14Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisierung: unipola...

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisi...

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,6W Polarisieru...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT23-3 Drain-Source Spannung: 240V Widerstand im Leitungszustand: 15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,36W Polarisierung: unipolar...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 106W Po...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 160A Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 135W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Roll...