N-Kanal-Transistoren SMD (4.868 Artikel)

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT89-3 Drain-Source Spannung: 300V Widerstand im Leitungszustand: 12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 0,74W Polarisierung: unipolar...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 18A Widerstand im Leitungszustand: 7,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,5W Polarisierung: unipolar V...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power33 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 3,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 41W Polarisierung: unipola...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: PQFN8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 49A Widerstand im Leitungszustand: 3,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 59W Polarisierung: unipolar ...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: INFINEON TEC...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 9,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 80W Polarisierung: unipolar ...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT89-3 Drain-Source Spannung: 40V Widerstand im Leitungszustand: 1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,6W Polarisierung: unipolar Ka...

Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN5x6 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 67A Widerstand im Leitungszustand: 1,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Po...

Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 2,7A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 61W Polarisierung: unipolar ...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,65Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 56,8W P...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TDSON-8 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 3,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 69W Pol...

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 3,2A Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Pol...

Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: PDFN5060-8 Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Band Kanal-Art: stark

Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 2,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45,7W Polarisierung:...

Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;SOT404 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 44,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 148W Polarisierun...