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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6,7A; 56,8W; PG-VSON-4


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Infineon IPL60R650P6S Transistor 800 V
Infineon IPL60R650P6S Transistor 800 V
Artikel-Nr.:
     2805-IPL60R650P6SATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPL60R650P6SATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-VSON-4
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 6,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,65Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 56,8W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™ P6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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