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  N-Kanal-Transistoren SMD (4.839 Artikel)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,8A; 190W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 20,8A Widerstand im Leitungszustand: 79mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 190W Polarisie...
ST Microelectronics
STB42N65M5
ab € 4,58*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,185Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 290W Polarisierung: unipolar...
IXYS
IXTA20N65X2
ab € 3,09*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 128W Pola...
Infineon
IPL65R099C7AUMA1
ab € 2,90*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 22,4A Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 195,3...
Infineon
IPB65R150CFDATMA1
ab € 1,94*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 390ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 0,145Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 390...
IXYS
IXTA24N65X2
ab € 2,73*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 65A; 250W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: D2PAK;TO263 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 24A Widerstand im Leitungszustand: 156mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisierung: u...
Vishay
SIHB24N65EFT1-GE3
ab € 3.157,752*
pro 800 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26,5A; 250W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 26,5A Widerstand im Leitungszustand: 63mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisie...
ST Microelectronics
STB57N65M5
ab € 6,19*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-VSON-4 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 28A Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 169W Pola...
Infineon
IPL65R070C7AUMA1
ab € 3,77*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 4,7Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 44W Polarisierung...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CP
ab € 0,0885*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,6A; Idm: 12A; 74W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 868mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 74W Polarisierung:...
Vishay
SIHJ6N65E-T1-GE3
ab € 1,26*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,6A; Idm: 25A; 36W (1 Angebot) 
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252AA Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,43Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W P...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI5A7N65D1K
ab € 0,76*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,9A; 36,7W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36,7W ...
Infineon
IPD65R950CFDATMA1
ab € 0,81*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,9A; 36,7W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,95Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36,7W ...
Infineon
IPD65R950CFDBTMA1
ab € 0,48*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,9A; Idm: 28A; 145W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: BRIDGELUX Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 3,9A Widerstand im Leitungszustand: 1,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 145W Polarisierung: unip...
Bridgelux
BXP7N65D
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31,2A; 277,8W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 31,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 277,8...
Infineon
IPB65R110CFDATMA1
ab € 3,96*
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