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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Artikel-Nr.:
     2805-YJ2N65CP-YAN
Hersteller:
     YANGJIE TECHNOLOGY
Herst.-Nr.:
     YJ2N65CP
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 4,7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 44W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 14nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 8A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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