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  MOSFET Transistormodule (337 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 560W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 580ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleis...
IXYS
IXKN75N60C
ab € 54,16*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 96mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN64N60P
ab € 28,26*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 52A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80M60J
ab € 54,38*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 52A; ISOTOP; schraubbar; 961W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleistung: 961...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80F60J
ab € 58,67*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 58A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JFLL
ab € 62,17*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 58A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JLL
ab € 65,96*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 62A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JVR
ab € 77,63*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN80N60P3
ab € 20,87*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN82N60Q3
ab € 45,22*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 70A; ISOTOP; schraubbar; 600W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleistung: 600W P...
ST Microelectronics
STE70NM60
ab € 32,33*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 70A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M60JLL
ab € 89,09*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 70A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M60JFLL
ab € 90,80*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 72A; SOT227B; schraubbar; 1040W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN82N60P
ab € 28,33*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 90A; SOT227B; schraubbar; 1500W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN110N60P3
ab € 26,33*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 60V; 300A; SOT227B; schraubbar (1 Angebot) 
Hersteller: DACO Semiconductor Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 300A Widerstand im Leitungszustand: 1,5mΩ Polarisierung: unipol...
DACO Semiconductor
DAMI330N60
ab € 25,02*
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