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Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 700W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 700W
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 700W
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN64N60P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN64N60P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 600v
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 50A
Widerstand im Leitungszustand: 96mΩ
Verlustleistung: 700W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 200nC
Technologie: HiPerFET™;PolarHV™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±40V
Drainstrom im Impuls: 150A
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet
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