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  MOSFET Transistormodule (338 Artikel)

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Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 560W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 580ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ Verlustleis...
IXYS
IXKN75N60C
ab € 61,04*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 96mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN64N60P
ab € 28,28*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 52A; ISOTOP; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleistung: 960...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80M60J
ab € 54,95*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 52A; ISOTOP; schraubbar; 961W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 52A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleistung: 961...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80F60J
ab € 59,32*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 58A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JFLL
ab € 62,96*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 58A; ISOTOP; schraubbar; 595W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 595...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JLL
ab € 66,65*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 62A; ISOTOP; schraubbar; 700W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleistung: 700...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75JVR
ab € 78,52*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 77mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN80N60P3
ab € 20,78*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 66A; SOT227B; schraubbar; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 300ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN82N60Q3
ab € 45,18*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 70A; ISOTOP; schraubbar; 600W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 55mΩ Verlustleistung: 600W P...
ST Microelectronics
STE70NM60
ab € 32,36*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 70A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M60JLL
ab € 90,24*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 70A; ISOTOP; schraubbar; 694W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Verlustleistung: 694...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M60JFLL
ab € 92,01*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 72A; SOT227B; schraubbar; 1040W (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 72A Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN82N60P
ab € 28,53*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 77A; ISOTOP; schraubbar; 568W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: ISOTOP Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 77A Widerstand im Leitungszustand: 35mΩ Verlustleistung: 568...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60JC3
ab € 36,82*
pro Stück
Modul; einzelner Transistor; 600V; 90A; SOT227B; schraubbar; 1500W (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SOT227B Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ Verlustleis...
IXYS
IXFN110N60P3
ab € 26,47*
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