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US2:NGB1K110B - BREAKER NGB 1P 110A 480V 25KA LD LUG (1 Angebot) 
BREAKER NGB 1P 110A 480V 25KA LD LUG, Herstellercode: US2:NGB1K110B
Siemens
US2:NGB1K110B
ab € 887,06*
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Relais: Halbleiter; USteuer: 3÷32VDC; 110A; 24÷280VAC; WG280 (1 Angebot) 
Hersteller: COMUS Betriebstemperatur: -20...80°C Schaltweise: ohne Verzögerung angeschlossen Betriebsstrom max.: 110A Achtung!: Maximaler Vollaststrom unter Verwendung des entsprechenden Radiators ...
Comus
WG280D110R
ab € 40,87*
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US2:NEG4B110L-BREAKER NEG 4P 110A 240V 85KA LUGS (1 Angebot) 
US2:NEG4B110L - BREAKER NEG 4P 110A 240V 85KA LUGS
Siemens
US2:NEG4B110L
ab € 7.946,11*
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Relais: Halbleiter; USteuer: 20÷32VDC; 110A; 180÷530VAC; RGS..S (2 Angebote) 
Hersteller: CARLO GAVAZZI Betriebstemperatur: -20...70°C Ausgänge: Schraubanschlüsse Äußere Abmessungen: 44,5x29x57,8mm Ausgangs-Art: NO;PNP Schaltweise: Einschalten in Nullstellung Betriebsstrom m...
Carlo Gavazzi
RA48110H12POS
ab € 177,79*
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US2:NGB3K110B - BREAKER NGB 3P 110A 480V 25KA LD LUG (1 Angebot) 
BREAKER NGB 3P 110A 480V 25KA LD LUG, Herstellercode: US2:NGB3K110B
Siemens
US2:NGB3K110B
ab € 2.777,17*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO268; 230ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Bereitschaftszeit: 230ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 600W...
IXYS
IXTT110N10L2
ab € 12,84*
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US2:NGB2K110B - BREAKER NGB 2P 110A 480V 25KA LD LUG (1 Angebot) 
BREAKER NGB 2P 110A 480V 25KA LD LUG, Herstellercode: US2:NGB2K110B
Siemens
US2:NGB2K110B
ab € 2.169,60*
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90%
Relais: Halbleiter; USteuer: 3÷32VDC; 110A; 48÷530VAC; WG480 (1 Angebot) 
Hersteller: COMUS Betriebstemperatur: -20...80°C Schaltweise: ohne Verzögerung angeschlossen Betriebsstrom max.: 110A Achtung!: Maximaler Vollaststrom unter Verwendung des entsprechenden Radiators ...
Comus
WG480D110R
ab € 58,03*
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90%
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 570A Anschaltzeit: 65ns Ausschalt...
IXYS
IXXK110N65B4H1
ab € 11,97*
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90%
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 110A Kollektorstrom im Impuls: 600A Anschaltzeit: 71ns Ausscha...
IXYS
IXXH110N65C4
ab € 7,45*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO220AB; 85ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 85ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480...
IXYS
IXFP110N15T2
ab € 2,56*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 64ns Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 14mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 517W ...
IXYS
IXTA110N12T2
ab € 1,94*
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 Stück
90%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 85ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480...
IXYS
IXFH110N15T2
ab € 4,81*
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90%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 420ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 960W...
IXYS
IXTK110N20L2
ab € 24,97*
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90%
Relais: Halbleiter; USteuer: 4÷32VDC; 110A; 48÷530VAC; HD48 (2 Angebote) 
Hersteller: SENSATA / CRYDOM Betriebstemperatur: -40...80°C Ausgänge: geschraubt Äußere Abmessungen: 57,3x44,5x22,6mm Schaltweise: Einschalten in Nullstellung Betriebsstrom max.: 110A Achtung!: Max...
Sensata Crydom
HD48110
ab € 97,15*
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