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Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Artikel-Nr.:
     2805-IXXK110N65B4H1
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXXK110N65B4H1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO264
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 110A
Kollektorstrom im Impuls: 570A
Anschaltzeit: 65ns
Ausschaltzeit: 250ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 880W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 183nC
Technologie: Trench;XPT™;GenX4™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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