Feldeffekttransistor  (441 Angebote unter 30.864.833 Artikeln)

Abbildung kann abweichen. MOSFETs Reihe BS. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BS250P, E-Line, Diodes

Unser Joy-IT LCR-T7 Messgerät bietet Ihnen eine Vielzahl an Funktionen zu einem attraktiven Preis. Mit Hilfe unseres LCR Messgerätes können Sie die Induktivitäten ( L ) von Spulen, Kapazitäten ( C ...

Abbildung kann abweichen. MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET

Abbildung kann abweichen. SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 O...

Abbildung kann abweichen. Transistor, C67078-S1333-A2, COMSET Features * N-Kanal * Anreicherungs-Modus * Avalanche-bewertet

Abbildung kann abweichen. MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m ...

Abbildung kann abweichen. SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,...

Abbildung kann abweichen. SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m ...

Abbildung kann abweichen. MOSFET, ZXMN10A07ZTA, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten...

Abbildung kann abweichen. MOSFET, BSS123W-7-F, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung beizubehalten, w...

Abbildung kann abweichen. Kleinsignal-MOSFET NFET en N-Kanal-Anreicherungstyp Reihe BSP../BSS. Technische Merkmale (Typ, Spannung (UDS), Strom (ID), Gehäuse, Hersteller): BSS123, 100 V, 170 mA, SOT...

Abbildung kann abweichen. MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit eine...

Abbildung kann abweichen. MOSFET, ZXMN3F30FHTA, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der mit einer Gate-Ansteuerung von 4,5 V errei...

Abbildung kann abweichen. N-Channel MOSFETs Typ Diodes 2N7000. Mit niedrigem RDS(ON), niedrigem Schwellwert, geringe Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, AEC-Q101 qualifiziert; Gehäus...