ixys  (4.202 Angebote unter 29.246.454 Artikeln)

Anzahl der Schaltkreise: 1 Schaltkreis(e) Produktpalette: - Schwellenspannung, max.: 600 V Bauform - TVS-Thyristor: FP-Case Thyristortyp: Breakover-Diode Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Sperrspannung Vrw...

Brücken-Typ = 3-phasigA Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1600V Montage-Typ = Tafelmontage Gehäusegröße = V1-A-Pack Pinanzahl = 5 Diodentechnologie = Siliziumverbindung Konfiguration = Single Stoß...

Hersteller: IXYS Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024a Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,2V Vorwärtsstrom: 30A Strom im max. Impuls: 150A Einheitspreis: Nein Elektrische Montage: THT #Werb...

IXYS IXFP180N10T2 MOSFET 1 N-Kanal 480 W TO-220AB Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betrieb...

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = CoolMOS™ Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 9 Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gat...

IXYS IXFP7N100P MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 1000 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebs...

Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = DFN Topologie = Low-Side Anzahl der Treiber = 2 Montage-Typ = SMD

Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = DFN Topologie = Low-Side Anzahl der Treiber = 2 Montage-Typ = SMD

IXYS IXGN200N60B3 IGBT - Modul SOT-227B Einzeln Standard 600 V IGBT Technische Daten: Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 450 ns · Collector-Strom I(C): 300 A · ...

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...

Hersteller: IXYS Gehäuse: GUFP Ausgänge: flache Pins Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,06V Vorwärtsstrom: 40A Strom im max. Impuls: 370A Einheitspreis: Nein Elektrische Montage: THT...

IXYS IXTK550N055T2 MOSFET 1 N-Kanal 1250 W TO-264 Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebs...

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 140 A Betriebstemperatur,...

Pinanzahl = 8 Gehäusegröße = DFN Topologie = Low-Side Anzahl der Treiber = 2 Montage-Typ = SMD Der IXYS-Treiber ist ein zweifacher Hochgeschwindigkeits- und Niederspannungsseiten-Gate-Treiber. Jede...

Hersteller: IXYS Gehäuse: FO-B Ausgänge: Verbinder 6,3x0,8mm Rückspannung max.: 1,4kV Vorwärtsspannung max.: 1,05V Vorwärtsstrom: 20A Strom im max. Impuls: 380A Einheitspreis: Nein Elektrische Mont...