Lite-On Optokoppler Phototransistor 4N25 DIP-6 Transistor DC

Lite-On Optokoppler Phototransistor 4N25 DIP-6 Transistor DC

Optokoppler Phototransistor

Technische Daten:
Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Durchlassstrom I(F): 80 mA · Eingangstyp: DC · Gehäuseart (Halbleiter): DIP-6 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): LTO · Isolationsspannung: 5000 V RMS · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Durchführungsloch · Spannungs-Ausgabe (max): 80 V · Sperrspannung U(R): 6 V · Strom-Übertragungsrate (min.): 50 % · Strom-Übertragungsrate (min.) - Stromreferenz: 5 mA · Stromausgang/Kanal: 50 mA · Stromübertragungsverhältnis (max.): 600 % · VCE Sättigung (max.): 200 mV