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| Artikel-Nr.:
102-1263216-BP Herst.-Nr.:
FCH041N60F EAN/GTIN:
k.A. |
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| ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 N-Kanal 595 W TO-247-3
MOSFET
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 14365 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 100 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 76 A · Leistung (max) P(TOT): 595 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 360 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 41 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 38 A · Serie (Halbleiter): SuperFET® II · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 600 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 5 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | ON Semiconductor | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | ON Semiconductor | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-247-3 | Ausführung (Transistoren): | N-Kanal | Serie (Halbleiter): | SuperFET® II | Transistor-Merkmal: | Standard | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | OnS | Typ (Hersteller-Typ): | FCH041N60F | Montageart: | Durchführungsloch | C(ISS): | 14365 pF | C(ISS) Referenz-Spannung: | 100 V | I(d): | 76 A | Betriebstemperatur (max.): | +150 °C | Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C | Leistung (max) P(TOT): | 595 W | Q(G): | 360 nC | Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V | R(DS)(on): | 41 mΩ | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 38 A | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | U(GS)(th) Referenz-Strom max.: | 250 µA | U(DSS): | 600 V | U(GS)(th) max.: | 5 V | Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 600 V | Produkt-Art: | MOSFET |
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