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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-156418-BP
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     BD810G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungstransistor
Schalttransistor
Transistor
leistungstransistor 80v
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten:
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: ON Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -80 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 1.5 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BD810G · VCE Sättigung (max.): -1.1 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
ON Semiconductor
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
ON Semiconductor
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220AB
Ausführung (Transistoren):
PNP
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
OnS
Typ (Hersteller-Typ):
BD810G
Montageart:
Durchführungsloch
Kollektor Reststrom I(CES):
-1 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
-80 V
Collector-Strom I(C):
-10 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
-4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
-2 V
DC Stromverstärkung (hFE):
15
Leistung (max) P(TOT):
90 W
Transitfrequenz f(T):
1.5 MHz
VCE Sättigung (max.):
-1.1 V
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret
Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, schalttransistor pnp, ON Semiconductor, BD810G, BD810G-ND
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