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Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     102-160947-BP
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB4610PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220AB

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 3550 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 73 A · Leistung (max) P(TOT): 190 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 140 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 14 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 44 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 100 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Weitere Informationen:
Inhalt:
1 St.
Hersteller:
Infineon Technologies
Anzahl Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies
Gehäuseart (Halbleiter):
TO-220AB
Ausführung (Transistoren):
N-Kanal
Serie (Halbleiter):
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
Hersteller-Kürzel (Bauelemente):
INF
Typ (Hersteller-Typ):
IRFB4610PBF
Montageart:
Durchführungsloch
C(ISS):
3550 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
50 V
I(d):
73 A
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Betriebstemperatur (min.) (num):
-55 °C
Leistung (max) P(TOT):
190 W
Q(G):
140 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
R(DS)(on):
14 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
44 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
100 µA
U(DSS):
100 V
U(GS)(th) max.:
4 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS):
100 V
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 100v, Infineon Technologies, IRFB4610PBF, 688-6958, International Rectifier
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