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| Artikel-Nr.:
102-162606-BP Herst.-Nr.:
IRFI730GPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Infineon Technologies IRFI730GPBF MOSFET 1 N-Kanal 35 W TO-220
MOSFET
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 400 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 700 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 3.7 A · Leistung (max) P(TOT): 35 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 38 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 1 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.1 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 400 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V
Weitere Informationen: | | Inhalt: | 1 St. | Hersteller: | Infineon Technologies | Anzahl Kanäle: | 1 | Marke: | Infineon Technologies | Gehäuseart (Halbleiter): | TO-220 | Ausführung (Transistoren): | N-Kanal | Transistor-Merkmal: | Standard | Hersteller-Kürzel (Bauelemente): | INF | Typ (Hersteller-Typ): | IRFI730GPBF | Montageart: | Durchführungsloch | C(ISS): | 700 pF | C(ISS) Referenz-Spannung: | 25 V | I(d): | 3.7 A | Betriebstemperatur (max.): | +150 °C | Betriebstemperatur (min.) (num): | -55 °C | Leistung (max) P(TOT): | 35 W | Q(G): | 38 nC | Q(G) Referenz-Spannung: | 10 V | R(DS)(on): | 1 Ω | R(DS)(on) Referenz-Strom: | 2.1 A | R(DS)(on) Referenz-Spannung: | 10 V | U(GS)(th) Referenz-Strom max.: | 250 µA | U(DSS): | 400 V | U(GS)(th) max.: | 4 V | Abbruchspannung U(BR) (DSS): | 400 V | Produkt-Art: | MOSFET |
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