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| Artikel-Nr.:
108EL-1220221 Herst.-Nr.:
DMN6068LK3-13 EAN/GTIN:
5059043132921 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 8,49 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.39mm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 8,49 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.39mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet dpak, 1220221, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN6068LK313, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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