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| Artikel-Nr.:
108EL-1223245 Herst.-Nr.:
DMC2990UDJ-7 EAN/GTIN:
5059043141237 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 190 mA, 520 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-963
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 2,4 Ω, 5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = +8 V
Breite = 0.85mm
Höhe = 0.45mm
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 190 mA, 520 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-963 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,4 Ω, 5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | +8 V | Breite: | 0.85mm | Höhe: | 0.45mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 1223245, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMC2990UDJ7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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