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| Artikel-Nr.: 108EL-1455378 Herst.-Nr.: FQPF85N06 EAN/GTIN: 5059042591798 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 53 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = QFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 62 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Breite = 4.7mm Höhe = 9.19mm
N-Kanal-MOSFET QFET®, über 31 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 53 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | QFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 62 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Breite: | 4.7mm | Höhe: | 9.19mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, 1455378, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQPF85N06, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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