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| Artikel-Nr.: 108EL-1455529 Herst.-Nr.: FQP11N40C EAN/GTIN: 5059042679892 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10,5 A Drain-Source-Spannung max. = 400 V Serie = QFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 530 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 135 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 4.7mm Höhe = 9.4mm
N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 400 V | Serie: | QFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 530 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 135 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.7mm | Höhe: | 9.4mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet 10a, 1455529, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQP11N40C, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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