Wolfspeed C3M C3M0120100J N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 22 A 83 W, 7-Pin TO-263-7

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = C3M
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 170 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 83 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +15 V, +9 V
Breite = 9.12mm
Höhe = 4.32mm

Wolfspeed stellt seinen neuesten Durchbruch in der SiC-Leistungsbauelementtechnologie mit dem branchenweit einzigen 1kV-SiC-MOSFET in einem neu optimierten Gehäuse vor, das für schnelle Schaltgeräte geeignet ist. Das neue 1-kV-Gerät wurde optimiert für Ladesysteme von Elektrofahrzeugen und dreiphasige industrielle Stromversorgungen und löst viele Herausforderungen beim Stromversorgungsdesign, indem es ein einzigartiges Gerät mit niedrigem Einschaltwiderstand, sehr geringer Ausgangskapazität und niedriger Quelleninduktivität bereitstellt – für eine perfekte Mischung aus niedrigen Schaltverlusten und niedrigen Leitungsverlusten.Mindestens 1 kV Spannungsausfall über den gesamten BetriebstemperaturbereichGehäuse mit niedriger Quelleninduktivität und eigenem TreiberquellenpolHohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger AusgangskapazitätHohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben