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| Artikel-Nr.:
108EL-155018 Herst.-Nr.:
ZVN3310FTA EAN/GTIN:
5059043512488 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 mA
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.4V
Verlustleistung max. = 330 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.4V | Verlustleistung max.: | 330 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet sot-23, 155018, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN3310FTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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