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| Artikel-Nr.: 108EL-1652750 Herst.-Nr.: SI4162DY-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040703438 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13,6 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 2,5 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4mm Höhe = 1.5mm
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 13a, 1652750, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4162DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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