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| Artikel-Nr.:
108EL-1663195 Herst.-Nr.:
RFD3055LESM9A EAN/GTIN:
5059042524727 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 107 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 38 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.39mm
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 107 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 38 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.39mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1663195, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, RFD3055LESM9A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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