Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 

STMicroelectronics Smart Power Modul / 15 A, 600 V 66 W, 26-Pin SDIP2B N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     108EL-1688978
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGIB10CH60TS-L
EAN/GTIN:
     5059042348217
Suchbegriffe:
4000 CMOS
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 15 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Verlustleistung max. = 66 W
Gehäusegröße = SDIP2B
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 26
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 38 x 24 x 3.5mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C

Intelligente Leistungsmodule SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics hat sein Programm an intelligenten IGBT-Leistungsmodulen durch die Einführung der zweiten Serie von intelligenten SLLIMM-Leistungsmodulen erweitert. Dank des optimalen Kompromisses zwischen Leitungs- und Schaltenergie, in Kombination mit einer außergewöhnlichen Robustheit und EMI-Störfestigkeit erhöhen Sie die Effizienz von Motorantrieben bis 20 kHz. Sie sind in vollständig geformten oder DBC-basierten Gehäusen erhältlich und liefern hohe Kollektorströme. Die intelligenten vergossenen Module mit geringem Verlust (SLLIMM™) erhöhen die Effizienz von Motorantrieben in Haushaltsgeräten. Intelligente Leistungsmodule (IPMs) stellen eine direkte Verbindung zwischen einem Niederspannungs-Mikrocontroller und einem netzbetrieben Elektromotor her. 3-phasige IGBT-Wechselrichterbrücke einschließlich Steuerungs-ICs für die Gate-Ansteuerung und Freilaufdioden Maximale Betriebstemperatur von 175 °C am Übergang Ausgelegt für 600 V, von 8A bis 35 A dc bei 25 °C Niedrige VCE(sat) Niedrigster Rth-Wert auf dem Markt für Versionen mit DBC-Gehäuse Isolationsspannung von 1500 V eff/min. Optimierte Treiber und Silizium für geringe elektromagnetische Störungen Separate Ausgänge mit offenem Emitter CMOS-/TTL-Eingänge mit 3,3 V, 5 V, 15 V Unterspannungsschutz Interne Bootstrap-Diode Verriegelungsfunktion Kluge Abschaltungsfunktion Komparator für Fehlerschutz gegen Übertemperatur und Überstrom
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
15 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Verlustleistung max.:
66 W
Gehäusegröße:
SDIP2B
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
26
Transistor-Konfiguration:
3-phasig
Abmessungen:
38 x 24 x 3.5mm
Betriebstemperatur min.:
–40 °C
Weitere Suchbegriffe: Transistor, stmicroelectronics transistor, igbt, 1688978, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGIB10CH60TSL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
Angebote (2)
Lagerstand
Mind.-Menge
Versand
Staffelpreis
Einzelpreis
^
Lager 108
13
Frei Haus
ab € 10,71*
€ 14,45*
1
€ 6,90*
ab € 9,86*
€ 18,75*
Preise: Lager 108
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
ab 13 Stück
€ 14,45*
€ 17,20
pro Stück
ab 20 Stück
€ 13,94*
€ 16,59
pro Stück
ab 65 Stück
€ 13,36*
€ 15,90
pro Stück
ab 3000 Stück
€ 10,71*
€ 12,74
pro Stück
Bestellungen nur in Vielfachen von 13 Stück
Mindestbestellmenge: 13 Stück ( entspricht € 187,85* zzgl. MwSt. )
Lagerstand: Lager 108
Versand: Lager 108
Lassen Sie sich detailliertere Lagerstands-Informationen anzeigen.
Bestellwert
Versand
ab € 0,00*
€ 8,95*
ab € 90,00*
Frei Haus
Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 108
Zeitraum:innerhalb von 30 Tagen
Verpackungszustand:Originalverpackung ungeöffnet, ohne Beschädigung
Warenzustand:unbenutzt
Rücksendekosten:trägt der Kunde
Bearbeitungsgebühr:keine
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.