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| Artikel-Nr.:
108EL-1690810 Herst.-Nr.:
DMN1019UFDE-7 EAN/GTIN:
5059043392769 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = U-DFN2020
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.8V
Verlustleistung max. = 2,17 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Breite = 2.05mm
Höhe = 0.58mm
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11 A | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | U-DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 41 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 2,17 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 2.05mm | Höhe: | 0.58mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, 1690810, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN1019UFDE7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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