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| Artikel-Nr.:
108EL-1697185 Herst.-Nr.:
DMG9N65CTI EAN/GTIN:
5059043372570 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = ITO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 13 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.9mm
Höhe = 16.07mm
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | ITO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 13 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.9mm | Höhe: | 16.07mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1697185, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMG9N65CTI, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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